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時間
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講題
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演講者
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13:00-13:20
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報到
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思渤行銷團隊
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13:20-13:50
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第三代半導體熱管理的進展
矽（Si）材料代表第一代，砷化鎵（GaAs）第二代；而氮化鎵（GaN）/碳化矽（SiC）是第三代（3GEN）半導體材料。能隙是半導體的一個重要特性，它取決於能帶結構，與晶體結構和原子的結合性質有關。因此，高電子遷移率晶體管 (HEMT) 冷卻技術在汽車、衛星、電力行業和數據中心的應用中受到行業的青睞。世界各地的政府、行業和研究團體都在實施 3GEN 半導體。預計未來五年市場增長將超過三倍，從 3.8 億美元增長到 2023 年的 13 億美元。基於 3GEN 半導體的技術開發正處於研究和測試階段。有效控制複合 GaN 基材中的 SiC 和金剛石材料中排列與降低聲子在介面的散射來減緩界面熱阻就相當的重要。這些材料在製造過程中有許多熱管理挑戰，例如需要準確的熱流場搭配有效的電信控制。因此高熱通量冷卻技術、微熱沉散熱器技術和 GaN HEMT 冷卻的限制將是 3GEN 半導體未來的熱管理技術。本次演講旨在簡要回顧這些新技術以及挑戰。
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王啟川 教授
陽明交通大學
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13:50-14:20
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高功率封裝元件及系統散熱模擬技術
隨著第三代半導體技術的興起，各功率元件都朝著快速、高能發展，使得過去在半導體封裝過程中較易被忽略的高溫影響將會越來越顯著，嚴重將會影響元件的效能表現，因此在封裝過程中進行有效的溫度及散熱管控就成為一重要之議題。本次研討會中，講者將會介紹如何透過Ansys Icepak來針對高功率封裝元件進行熱模擬，並且利用內建模組進行完整的元件及系統級別熱管理。
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思渤科技
應用工程師團隊
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14:20-14:30
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中場休息
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14:30-15:00
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Re-inventing sound, xMEMS的應用
xMEMS正透過True MEMS技術配合半導體、封裝製程創造嶄新的聲音。本講題邀請到xMEMS 台灣分公司總經理溫海宏為我們描述True MEMS是如何解決入耳式個人音頻設備的問題，顛覆100億美元的揚聲器市場，創造音頻保真度、尺寸、能耗和均勻性的全新組合，以及Ansys模擬對True MEMS開發過程的重要性與價值。
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陳文誌 博士
知微電子台灣分公司
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15:00-15:30
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新型態封裝模擬與可靠度
現今在高效能的電路設計下，基材改變、尺度縮小、疊構緊密已是主要趨勢，百年不變的話題“熱膨脹係數不匹配”依舊是產業關注的議題，配合產業的需求，思渤會提供各位數個解決方案，以利於設計初期快速評估並了解是否符合規範。
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思渤科技
應用工程師團隊
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15:30-15:50
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午茶交流時間
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15:50-16:20
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先進封裝技術發展與關鍵技術趨勢
從28 GHz到300 GHz的毫米波（mmWave）頻段已被應用提供極高吞吐量和低延遲的重要技術；第五代（5G）移動通信（28 /39GHz頻段），802.11ad/ay （60GHz頻段）和汽車雷達（77/79GHz頻段）。系統級封裝（SiP）為上述應用的用戶提供了全面的解決方案，以優化和區分他們的產品以滿足系統要求。而在雲端及數據中心中，巨量數據的運算能力意指大數據頻寬與多通道的需求(如SerDes 112Gbps; HBM2e 3.2Gbps/ch)，2.5D IC/FOCoS封裝架構解決了芯片間多通道的互連與實現小晶片(Chiplet)的架構滿足了高速計算的需求。伴隨著先進封裝演進與新應用產品發展，多物理整合分析將可快速完成不同物理特性間的疊代設計。本演講將由系統級封裝觀點切入，分享實現高帶寬毫米波antenna-in-package (AiP)與高頻寬FOCoS設計經驗。
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王陳肇 處長
日月光半導體
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16:20-16:50
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封裝電路整合與電源完整性分析攻略
隨著現在電子技術不斷發展，IC封裝也朝著小而精、高速、高密度和高集成的目標前進，市面IC封裝產品類型眾多，根據半導體材料來劃分類型分為金屬封裝、塑料封裝及陶瓷封裝。現今設計晶片無論是在低功耗、高速率、低電壓及穩定性提出了更高的設計需求，在板級系統更關注於穩定可靠的電源分配系統(PDS)，Ansys SIwave、HFSS從電壓調節模塊、電源地平面和去耦電容提供完整的模擬解決方案，設計使電源網絡低於目標阻抗達成低噪聲之系統封裝電路
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思渤科技
應用工程師團隊
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16:50-17:00
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問卷
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思渤科技
行銷團隊
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17:00~
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賦歸
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